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西瓜的生長發育要求什么樣的環境條件？
　　西瓜對環境條件的要求如下：
　　1.溫度：西瓜是喜溫性作物，耐炎熱，怕低溫，在整個生育過程中，都要求有較高的溫度。其最適溫度為25－30℃，低于12℃，西瓜正常的生理機能即遭到破壞。5℃以下就可能發生凍害。而40℃左右，仍有較高的光合能力。西瓜種子在15－16℃時開始發芽，發芽最適溫度為28－30℃，40℃以上極少發芽。根伸長的最低溫度為10℃，最適溫度為32℃，最高溫度為40℃。植株生長發育的最低溫度為15℃，適溫范圍為20－35℃，其中幼苗期最適溫度為22－25℃。伸蔓期最適溫度為25－30℃，結瓜期最適溫度為30－35℃。
　　西瓜座果要求有較高的溫度。12℃以下花粉不能發芽，12－14℃時花粉發芽率僅為20%－30%，18－20℃時發芽率為68%－82%，在低溫情況下坐瓜困難，即使座瓜，子房發育也很緩慢，溫度低于18℃，則難以座瓜。晝夜溫差對西瓜的生長發育影響很大，在較高的晝溫和較低的夜溫氣候條件下，光合產物多，而呼吸消耗少，對西瓜的營養生長和果實的糖分積累都極為有利，故果實含糖量高，品質優良。西瓜果實由開花到成熟一般需積溫800－1000℃，早熟品種和小型果需積溫800－900℃，晚熟品種和大型果需積溫900－1000℃。座瓜后溫度高則成熟快，溫度低則成熟慢。
　　2.光照：西瓜為喜光作物，其光飽和點為8萬勒克司，光補償點為6400勒克斯，較長的日照時數和較強的光照對西瓜生長發育、產量的形成和品質的提高極為有利。在光照充足的條件下，植株生長正常，表現為莖粗、節短、葉肥厚、色濃綠，易于座瓜，高產優質。增加日照時數和光照強度可促進莖蔓的生長與葉片數目的增加。營養面積增大，對于雌花數量、子房大小、胚珠數目都可增加。苗期光照不足，瓜苗徒長、下胚軸細長、形成高腿，幼苗脆弱，并且成花節位高、子房小、產量低。伸蔓期光照不足，莖細節長、組織松軟、細胞壁薄、葉小色淡，易感病害，易跑秧難坐瓜。結瓜期光照不足，座瓜率低、果實發育緩慢，含糖量低，品質差。因而光照不足，不僅影響西瓜的營養生長，還影響到雌花數量的多少、子房發育以及其后的授粉受精、產量和品質。
　　 3.水分：西瓜根系發達，可深扎入土壤1.5－2米。吸水能力強。西瓜葉片有較多的裂刻并被茸毛，以減少水分的蒸騰，因而西瓜具有較強的耐干旱能力。西瓜要求土壤疏松通氣，雨量過多或土壤板結不利其生長，其根系極不耐澇，尤其苗期雨量過多，地面漬澇，會嚴重影響西瓜幼苗的生長發育，繼而顯著延遲生育期。伸蔓期雨量過多，會引起旺長，難以座瓜，顯著降低產量。西瓜枝葉茂盛，果實含水量高，生育期大部分時間處于干旱季節，葉片蒸騰強度大，耗水量極多，對水分要求又極為強烈。據測定，每株西瓜一生中大約需要消耗水1噸左右。如果缺水，西瓜生長發育會受到嚴重的影響。伸蔓期缺水，遲遲不發棵，生育期延長。開花期干旱，易造成授粉不良，形成“化瓜”。據試驗，當空氣濕度由95%降到50%，花粉發芽率由92%降低到18.3%，難以坐瓜。結瓜期過早結束，瓜個小，瓜瓤易開裂，產量顯著降低。
　　 4.土壤和土壤養分：西瓜喜歡通氣性良好、吸熱快、疏松肥沃、土層深厚的砂質壤土。這種土壤透氣性良好、利于根系向縱深發展，可顯著提高西瓜的抗旱能力和吸收水平。砂質土壤熱容量小，白天吸熱快，春季回暖早，夜間散熱迅速，晝夜溫差大，不僅利于西瓜根系的生長發育和對礦質肥料的吸收運轉，而且還有利于有機營養物質的積累，能提高果實的含糖量，利于高產優質。
　　西瓜對土壤酸堿度的適應性較強，PH在5－8的土壤都可種植。其中以中性土壤最為適宜。鹽堿土只要土壤溶液的總鹽量不大于0.2%，亦可種植。
摘自：《溫室蔬菜控害減災增收技術問答》
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